Der high-electron-mobility transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs. Andere Bezeichnungen für diesen Transitortyp sind modulation-doped field-effect transistor (MODFET), ...
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https://de.wikipedia.org/wiki/High-electron-mobility_transistor
(HEMT) Extrem schneller Verarmungsschicht-FET in Heterostruktur. Der FET-Kanal besteht aus einer Quantenwanne, die eine zweidimensionale Wolke mit extrem beweglichen Elektronen produziert, s.a. HJBT.
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https://www.computer-automation.de/lexikon/?s=2&k=H&id=14903&page=1
(HEMT) Extrem schneller Verarmungsschicht-FET in Heterostruktur. Der FET-Kanal besteht aus einer Quantenwanne, die eine zweidimensionale Wolke mit extrem beweglichen Elektronen produziert, s.a. HJBT.
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https://www.elektroniknet.de/lexikon/?s=2&k=H&id=14903&page=1
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